场效应管-九游会体育
（1/500）
相关搜索
参数筛选
-
品牌
全部 >
品牌筛选
- ir/国际整流器
- fairchild/仙童
- st/意法
- on/安森美
- aos/美国万代
- vishay/威世通
- infineon/英飞凌
- nec/日本电气
- toshiba/东芝
- fuji/富士通
- renesas/瑞萨
- sanyo/三洋
- nxp/恩智浦
- freescale/飞思卡尔
- ixys/艾赛斯
- philips/飞利浦
- rohm/罗姆
- cet/华瑞
- adv/美国先进半导体
- hitachi/日立
- zet/英国xetex
- mitsubishi/三菱
- ns/国半
- panasonic/松下
- kec
- motorola/摩托罗拉
- alpha
- nxp
- panjit
- micro
- shindengen/新电元
- 松木
- interfet美国
- toshiba/东芝
- ixy/美国电报半导体
- fjd/日本富士电机
- tix/美国德州仪器
- tra/美国晶体管
- poryfet美国
- apt/美国先进功率
- 其他
-
类型
全部 >
类型筛选
- 绝缘栅型场效应管/mos场效应管
- 结型场效应管
- 其他
-
沟道类型
全部 >
-
导电方式
全部 >
-
适合频率
全部 >
-
封装外形
全部 >
封装外形筛选
- smd(so)/表面封装
- cer-dip/陶瓷直插
- p-dit/塑料双列直插
- chip/小型片状
- llcc/无引线陶瓷片载
- sp/特殊外形
- wafer/裸芯片
- 其他
-
材质
全部 >
材质筛选
- n-fet硅n沟道
- ge-n-fet锗n沟道
- p-fet硅p沟道
- mes金属半导体
- algaas铝镓砷
- ge-p-fet锗p沟道
- igbt绝缘栅比极
- gaas-fet砷化镓
- sit静电感应
- sensefet电流敏感
- sb肖特基势垒栅
- hemt高电子迁移率
- 其他
-
加工定制
全部 >